| 1 | Численное исследование процессов самоорганизации заряженных частиц в двумерных потенциалах с круговой симметрией |
| 2 | НАКОПЛЕНИЕ ИЗБЫТОЧНОГО ЗАРЯДА ПРИ ПРОХОЖДЕНИИ ЧЕРЕЗ КРЕМНИЙ БЫСТРЫХ ИОНОВ |
| 3 | УПРАВЛЕНИЕ УСКОРЕННЫМИ ЗАРЯЖЕННЫМИ ЧАСТИЦАМИ С ПОМОЩЬЮИЗОГНУТЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТРУБОК |
| 4 | Когерентное рентгеновское излучение пучка релятивистских электронов в составной мишени |
| 5 | Влияние многократного рассеяния на когерентное рентгеновское излучение пучка релятивистских электронов в монокристалле |
| 6 | ИЗМЕНЕНИЕ НЕРАВНОВЕСНОГО И РАВНОВЕСНОГО СРЕДНЕГО ЗАРЯДА ИОНОВ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТОЛЩИНЫ ПРОЙДЕННОГО СЛОЯ ВЕЩЕСТВА |
| 7 | ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ИОНОВ Na+ ПРОШЕДШИХ ЧЕРЕЗ ТОНКИЕ СВОБОДНЫЕ НАНОПЛЕНКИ Сu |
| 8 | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОХОЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ 10 KEV ЧЕРЕЗ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАКРОКАНАЛ |
| 9 | Параметрическое рентгеновское излучение релятивистских электронов в нано порошковых мишенях |
| 12 | Создание источников ионов для компактных генераторов нейтронов |
| 13 | Система измерений пространственных характеристик пучков ионизирующих излучений на основе рентгенофлуоресцентного проволочного сканера |
| 14 | Эффект трансформации конуса излучения вавилова-черенкова в рентгеновском диапазоне – предложение эксперимента……… |
| 15 | Зависимость максимальной энергии рентгеновского излучения от величины предварительного изменения температуры при работе пироэлектрического источника в импульсном режиме |
| 16 | Электризация боковой поверхности Z-ориентированного монокристалла ниобата лития при пироэлектрическом эффекте… |
| 17 | Энергодисперсионный томограф на основе мягкого рентгеновского излучения для контроля качества конструкционных элементов из лёгких материалов |
| 18 | ПОВОРОТ ЭЛЕКТРОНОВ С ЭНЕРГИЕЙ 10 КЭВ НА 360° С ПОМОЩЬЮ ТРУБКИ ПВХ |
| 19 | Фокусировка банчированного релятивистского электронного пучка диэлектрическим капилляром |
| 20 | ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ ПОКРЫТИЙ И ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОЛИТОВ ДЛЯ МИКРОДУГОВОГО ОКСИДИРОВАНИЯ УЛЬТРАЛЁГКОГО МАГНИЕВОГО СПЛАВА |
| 22 | Исследование физикохимических характеристик слоистой системы Ti-Al-C методами электронной и фотоэлектронной спектроскопии |
| 23 | Исследование порошковых материалов методом ядерного обратного рассеяния |
| 24 | «Исследование слоев SiO2, имплантированных Zn, как активной среды мемристоров», |
| 27 | Электронное облучение кристаллического кварца: оптические и структурные свойства |
| 28 | ЭЛЕКТРОННАЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА СИЛИЦИДОВ Pd И Ba, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ |
| 29 | Модификация поверхностных слоев магния под действием мощного ионного пучка. |
| 31 | ОПТИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА ПОСЛЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ |
| 32 | Исследование кислородной не стехиометрии и концентрации лития в Gd1.7Li0.3Zr2O6.7 и Gd2Zr1.7Li0.3O6.55 методом ядерного микроанализа |
| 33 | Влияние примеси серебра на взаимодействие водорода с палладием |
| 35 | МОРФОЛОГИЯ И СМАЧИВАЕМОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЕМОГО МЕТОДОМ ВАКУУМНОГО ОСАЖДЕНИЯ МОЛИБДЕНА НА СТЕКЛЯННУЮ ПОДЛОЖКУ |
| 36 | Перераспределение электронной плотности при растворении водорода в палладии: расчеты из первых принципов |
| 37 | ГЕНЕРАЦИЯ ЭДС И ТОКОВ В ПЛЁНОЧНЫХ Si/Si СТРУКТУРАХ, ПОЛУЧЕННЫХ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ЧАСТИЧНО ИОНИЗОВАННЫХ ПОТОКОВ |
| 39 | Исследование свойств GaAs, облученного ионами марганца и железа |
| 40 | ИЗУЧЕНИЕ СОСТАВА И ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ ПО ГЛУБИНЕ СИСТЕМЫ Ni–GaP, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ |
| 41 | ИЗУЧЕНИЕ СОСТАВА ПРИМЕСЕЙ И ПРОФИЛЕЙ ИХ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК |
| 42 | Состав и коррозионные свойства слоев, формируемых на алюминии и алюминиевом сплаве ионно-ассистируемым осаждением металлов из плазмы вакуумного дугового разряда |
| 43 | МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ АЛЮМОСИЛИКАТНЫХ НАНОТРУТРУБОК ГАЛЛУАЗИТА НАНОЧАСТИЦАМИ МАГНЕТИТА |
| 44 | Исследование зависимости проницаемости пористых материалов от геометрических характеристик внутренней поверхности нанопор |
| 49 | ПАРАМЕТРЫ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ЗОН ОТ ГЛУБИНЫ ИОННОЛЕГИРОВАННОГО СЛОЯ ДЛЯ Si ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ |
| 51 | Топография GaN при последовательном облучении молекулярными и атомарными ионами |
| 52 | Синтез наноструктур на основе оксида галлия неравновесными методами |