ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РАДИАЦИОННО- И ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКИХ ОБРАБОТОК НА МОДИФИКАЦИЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МДП-СТРУКТУР

В.В. Андреев1,*), С.А. Корнев 1), А.И. Власовский1)
1) МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калужский филиал, 
Калуга, Россия
*) e-mail: vladimir_andreev@bmstu.ru

В данной работе проведено исследование влияния радиационно- и инжекционно-термических обработок на модификацию структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), используемых в современных микросхемах и сенсорах радиационных излучений. В качестве ионизирующего излучения использовались электроны, протоны и гамма-излучение. 
Установлено, что процессы модификации и деградации тонких, наноразмерных диэлектрических пленок МДП-структур и границы раздела с полупроводником, наблюдающиеся при инжекционно-термической обработке (ИТО) /1/, во многом аналогичны процессам, протекающим при радиационно-термической обработке (РТО), и, следовательно, РТО, используемая для улучшения качества диэлектрических пленок, может быть заменена на ИТО, как более простой метод, позволяющий контролировать изменение зарядового состояния МДП-структур в процессе обработки. Показано, что проведение как РТО, так и ИТО, позволяет за счет модификации подзатворного диэлектрика повышать надежность МДП-приборов. Показано, что величина заряда, инжектированного в диэлектрик, и напряженность электрического поля, при которой проводится инжекция, являются основными параметрами, определяющими эффективность инжекционно-термической обработки.

Л И Т Е Р А Т У Р А

1. Андреев Д.В., Бондаренко Г.Г., Андреев В.В., Масловский В.М., Столяров А.А., // , Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2020, №3, с. 53-57.